用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數：

　　   1、最大整流電流

       是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的最大正向電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。例如，常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。

　　   2、最高反向工作電壓

　　   加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。

　　   3、反向電流

　　   反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流僅為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

　　   4.動態(tài)電阻Rd

　   　二極管特性曲線靜態(tài)工作點Q附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。

　　CT---勢壘電容

　　Cj---結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

　　Cjv---偏壓結電容

　　Co---零偏壓電容

　　Cjo---零偏壓結電容

　　Cjo/Cjn---結電容變化

　　Cs---管殼電容或封裝電容

　　Ct---總電容

　　CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

　　CTC---電容溫度系數

　　Cvn---標稱電容

　　IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數時給定的電流

　　IF（AV）---正向平均電流

　　IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

　　IH---恒定電流、維持電流。

　　Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流

　　IFRM---正向重復峰值電流

　　IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）

　　Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

　　IF(ov)---正向過載電流

　　IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

　　ID---暗電流

　　IB2---單結晶體管中的基極調制電流

　　IEM---發(fā)射極峰值電流

　　IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

　　IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流

　　ICM---最大輸出平均電流

　　IFMP---正向脈沖電流

　　IP---峰點電流

　　IV---谷點電流

　　IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

　　IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

　　IGFM---控制極正向峰值電流

　　IR（AV）---反向平均電流

　　IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

　　IRM---反向峰值電流

　　IRR---晶閘管反向重復平均電流

　　IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流

　　IRRM---反向重復峰值電流

　　IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）

　　Irp---反向恢復電流

　　Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流

　　Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

　　IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

　　IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

　　IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

　　iF---正向總瞬時電流

　　iR---反向總瞬時電流

　　ir---反向恢復電流

　　Iop---工作電流

　　Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

　　f---頻率

　　n---電容變化指數；電容比

　　Q---優(yōu)值（品質因素）

　　δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

　　di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

　　dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

　　PB---承受脈沖燒毀功率

　　PFT（AV）---正向導通平均耗散功率

　　PFTM---正向峰值耗散功率

　　PFT---正向導通總瞬時耗散功率

　　Pd---耗散功率

　　PG---門極平均功率

　　PGM---門極峰值功率

　　PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

　　Pi---輸入功率

　　PK---最大開關功率

　　PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率

　　PMP---最大漏過脈沖功率

　　PMS---最大承受脈沖功率

　　Po---輸出功率

　　PR---反向浪涌功率

　　Ptot---總耗散功率

　　Pomax---最大輸出功率

　　Psc---連續(xù)輸出功率

　　PSM---不重復浪涌功率

　　PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

　　RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻

　　RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

　　RE---射頻電阻

　　RL---負載電阻

　　Rs(rs)----串聯電阻

　　Rth----熱阻

　　R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻

　　Rz(ru)---動態(tài)電阻

　　R(th)jc---結到殼的熱阻

　　r δ---衰減電阻

　　r(th)---瞬態(tài)電阻

　　Ta---環(huán)境溫度

　　Tc---殼溫

　　td---延遲時間

　　tf---下降時間

　　tfr---正向恢復時間

　　tg---電路換向關斷時間

　　tgt---門極控制極開通時間

　　Tj---結溫

　　Tjm---最高結溫

　　ton---開通時間

　　toff---關斷時間

　　tr---上升時間

　　trr---反向恢復時間

　　ts---存儲時間

　　tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

　　a---溫度系數

　　λp---發(fā)光峰值波長

　　△ λ---光譜半寬度

　　η---單結晶體管分壓比或效率

　　VB---反向峰值擊穿電壓

　　Vc---整流輸入電壓

　　VB2B1---基極間電壓

　　VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

　　VEB---飽和壓降

　　VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

　　VF---正向壓降（正向直流電壓）

　　△VF---正向壓降差

　　VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓

　　VGT---門極觸發(fā)電壓

　　VGD---門極不觸發(fā)電壓

　　VGFM---門極正向峰值電壓

　　VGRM---門極反向峰值電壓

　　VF（AV）---正向平均電壓

　　Vo---交流輸入電壓

　　VOM---最大輸出平均電壓

　　Vop---工作電壓

　　Vn---中心電壓

　　Vp---峰點電壓

　　VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

　　VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

　　V（BR）---擊穿電壓

　　Vth---閥電壓（門限電壓、死區(qū)電壓）

　　VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）

　　VRWM---反向工作峰值電壓

　　V v---谷點電壓

　　Vz---穩(wěn)定電壓

　　△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

　　Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

　　av---電壓溫度系數

　　Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

　　VL ---極限電壓